GIEC OpenIR  > 中国科学院广州能源研究所
O/N比率对磁控溅射制备TiNxOy薄膜光学性质的影响
王建强; 沈辉; 汪保卫
2005-10-01
Source Publication纳米材料与技术应用进展--第四届全国纳米材料会议论文集 ; 纳米材料与技术应用进展--第四届全国纳米材料会议论文集 ; 第四届全国纳米材料会议 ; 第四届全国纳米材料会议
Source Publication纳米材料与技术应用进展--第四届全国纳米材料会议论文集 ; 纳米材料与技术应用进展--第四届全国纳米材料会议论文集 ; 第四届全国纳米材料会议 ; 第四届全国纳米材料会议
Conference Date2005-10-01
Conference Place山东烟台
Publication Place山东烟台
Funding Organization中国材料研究学会
Other Abstract用直流反应磁控溅射设备,在不同O/N比率条件下,在铜片和载玻片上制备了TiNxOy薄膜.用分光光度计、n&k薄膜光学分析仪和台阶仪测试了样品的反射率、光学常数(n&k)及膜厚.结果发现随O/N比率提高,薄膜的吸收率、190~900nm范围内的平均折射率、500nm附近的折射率和450nm处的消光系数有了明显提高;但O/N比率过高时,薄膜热发射率增加,700nm处的k值和沉积速率急剧减小。
Keyword反应磁控溅射 吸收率 沉积速率 Tinxoy薄膜 分光光度计 光学性质
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7894
Collection中国科学院广州能源研究所
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GB/T 7714
王建强,沈辉,汪保卫. O/N比率对磁控溅射制备TiNxOy薄膜光学性质的影响[C]. 山东烟台,2005.
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