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Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析
陈德明; 徐刚
2007-11-15
会议(录)名称第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集 ; 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集 ; 第六届中国功能材料及其应用学术会议 ; 第六届中国功能材料及其应用学术会议
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会议日期2007-11-15
会议地点武汉
出版地武汉
会议主办者中国仪器仪表学会
其他摘要采用反应射频磁控溅射法,在氩-氧氛围制备Cu-O体系薄膜。在溅射功率、氩气流量一定的条件下,通过改变氧分压,得到不同成份的Cu-O体系薄膜。在氧分压较小条件下,薄膜中主要以金属铜为主,存在少量的Cu2O,随着氧分压的增加,Cu2O成分增加,在氧分压1.42×10-2pa时得到单相Cu2O薄膜。随着氧分压继续增加,Cu2O逐渐转变成CuO.薄膜成份通过X射线分析,薄膜电阻率采用四探针仪测量,薄膜光学特性采用紫外-可见光谱分析,并计算出本次实验所得单相Cu2O光学带隙为2.51eV.
关键词磁控溅射 氧化亚铜 光学带隙 铜氧化物 太阳电池
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/8008
专题中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
陈德明,徐刚. Cu2O薄膜磁控溅射制备及特性分析[C]. 武汉,2007.
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