GIEC OpenIR
非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究
曹全君1; 李祖渠1; 彭银生1; 吴能友2; 贾立新1
2013
Source Publication电源技术
ISSN1002-087X
Volume037Issue:001Pages:47
Abstract基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si:H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系。通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7%,AM1.5下光电转换效率为10.1%,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率。
Language英语
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.giec.ac.cn/handle/344007/20650
Collection中国科学院广州能源研究所
Affiliation1.浙江工业大学
2.中国科学院广州能源研究所
Recommended Citation
GB/T 7714
曹全君,李祖渠,彭银生,等. 非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究[J]. 电源技术,2013,037(001):47.
APA 曹全君,李祖渠,彭银生,吴能友,&贾立新.(2013).非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究.电源技术,037(001),47.
MLA 曹全君,et al."非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究".电源技术 037.001(2013):47.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[曹全君]'s Articles
[李祖渠]'s Articles
[彭银生]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[曹全君]'s Articles
[李祖渠]'s Articles
[彭银生]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[曹全君]'s Articles
[李祖渠]'s Articles
[彭银生]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.