非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究

GIEC OpenIR

	非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究
	曹全君 1; 李祖渠 1; 彭银生 1; 吴能友2 ; 贾立新 1
	2013
Source Publication	电源技术
ISSN	1002-087X
Volume	037 Issue:001 Pages:47
Abstract	基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si：H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系。通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7%,AM1.5下光电转换效率为10.1%,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率。
Language	英语
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/20650
Collection	中国科学院广州能源研究所
Affiliation	1.浙江工业大学 2.中国科学院广州能源研究所
Recommended Citation GB/T 7714	曹全君,李祖渠,彭银生,等. 非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究[J]. 电源技术,2013,037(001):47.
APA	曹全君,李祖渠,彭银生,吴能友,&贾立新.(2013).非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究.电源技术,037(001),47.
MLA	曹全君,et al."非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究".电源技术 037.001(2013):47.

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