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| 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响 | |
| 王贺权1; 沈辉2; 巴德纯1; 汪保卫3; 闻立时4 | |
| 2005 | |
| Source Publication | 真空
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| ISSN | 1002-0322 |
| Volume | 042Issue:001Pages:11 |
| Abstract | 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为42．6 sccm，氧流量为15 sccm，溅射时间为30min的条件下，通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量，当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷先短波后长波之后再短波；靶基距对消光系数五影响较大；随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。 |
| Language | 英语 |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/19285 |
| Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
| Affiliation | 1.东北大学 2.中山大学 3.中国科学院广州能源研究所 4.中国科学院金属研究所 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005,042(001):11. |
| APA | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响.真空,042(001),11. |
| MLA | 王贺权,et al."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响".真空 042.001(2005):11. |
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