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低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索
沈辉1; 许颖2; 励旭东2; 王文静2; 于元2; 赵玉文2
2003
发表期刊发光学报
ISSN1000-7032
卷号024期号:003页码:301
摘要在低成本、两种纯度的P^++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平;采用4μm/min的沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率分别为6.25%(高纯硅粉制成的SSP衬底)和4.5%(低纯硅粉制成的SSP衬底)。
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/19040
专题中国科学院广州能源研究所
作者单位1.中国科学院广州能源研究所
2.北京市太阳能研究所有限公司
第一作者单位中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
沈辉,许颖,励旭东,等. 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索[J]. 发光学报,2003,024(003):301.
APA 沈辉,许颖,励旭东,王文静,于元,&赵玉文.(2003).低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索.发光学报,024(003),301.
MLA 沈辉,et al."低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索".发光学报 024.003(2003):301.
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