Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究

GIEC OpenIR > 中国科学院广州能源研究所

	Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究
Alternative Title	Influence of Al2O3 Buffer Layer on Interface Charge Recombination in CdSe Quantum Dot-sensitized Solar Cells
	梁柱荣 1,2; 毕卓能 ; 靳虎 1,2; 梅凤娇 1; 徐雪青1,2
	2015
Source Publication	新能源进展
Issue	4 Pages:245-250
Abstract	Quantum dot-sensitized solar cells（QDSSCs） have attracted great interest owing to their low fabrication cost. However, the power conversion efficiency（PCE） is relatively low because of the high density of surface states in quantum dots（QDs）, and severe su
Other Abstract	量子点敏化纳米TiO2太阳电池（QDSSCs）因成本低廉,近年来得到广泛关注。但是其光电转换效率仍然较低,其中主要的原因是量子点表面缺陷密度高,表面与界面电子复合严重。本文以Al2O3为纳米TiO2/CdSe QDs的界面修饰层,采用暗态下的电化学阻抗谱（EIS）以及开路电压衰减谱考察了Al2O3对抑制电子复合所起的作用,并简析了其中的作用机理。研究结果表明,TiO2表面修饰Al2O3后,其导带边上移;此外,TiO2/QDs界面缺陷态降低,界面电子复合降低,使器件的短路电流、开路电压以及填充因子提高,光电
Keyword	量子点太阳电池 Al2o3 界面修饰电子复合
Funding Organization	国家自然科学基金面上项目（21073193,21273241）
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16253
Collection	中国科学院广州能源研究所太阳能系统应用实验室
Affiliation	1.中国科学院广州能源研究所,广州510640 2.中国科学院大学,北京100049
First Author Affilication	GuangZhou Institute of Energy Conversion,Chinese Academy of Sciences
Recommended Citation GB/T 7714	梁柱荣,毕卓能,靳虎,等. Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究[J]. 新能源进展,2015(4):245-250.
APA	梁柱荣,毕卓能,靳虎,梅凤娇,&徐雪青.(2015).Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究.新能源进展(4),245-250.
MLA	梁柱荣,et al."Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究".新能源进展 .4(2015):245-250.

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