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Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究
其他题名Influence of Al2O3 Buffer Layer on Interface Charge Recombination in CdSe Quantum Dot-sensitized Solar Cells
梁柱荣1,2; 毕卓能; 靳虎1,2; 梅凤娇1; 徐雪青1,2
2015
发表期刊新能源进展
期号4页码:245-250
摘要Quantum dot-sensitized solar cells(QDSSCs) have attracted great interest owing to their low fabrication cost. However, the power conversion efficiency(PCE) is relatively low because of the high density of surface states in quantum dots(QDs), and severe su
其他摘要量子点敏化纳米TiO2太阳电池(QDSSCs)因成本低廉,近年来得到广泛关注。但是其光电转换效率仍然较低,其中主要的原因是量子点表面缺陷密度高,表面与界面电子复合严重。本文以Al2O3为纳米TiO2/CdSe QDs的界面修饰层,采用暗态下的电化学阻抗谱(EIS)以及开路电压衰减谱考察了Al2O3对抑制电子复合所起的作用,并简析了其中的作用机理。研究结果表明,TiO2表面修饰Al2O3后,其导带边上移;此外,TiO2/QDs界面缺陷态降低,界面电子复合降低,使器件的短路电流、开路电压以及填充因子提高,光电
关键词量子点 太阳电池 Al2o3 界面修饰 电子复合
资助者国家自然科学基金面上项目(21073193,21273241) ; 国家自然科学基金面上项目(21073193,21273241)
资助者国家自然科学基金面上项目(21073193,21273241) ; 国家自然科学基金面上项目(21073193,21273241)
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16253
专题中国科学院广州能源研究所
太阳能系统应用实验室
作者单位1.中国科学院广州能源研究所,广州510640
2.中国科学院大学,北京100049
推荐引用方式
GB/T 7714
梁柱荣,毕卓能,靳虎,等. Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究[J]. 新能源进展,2015(4):245-250.
APA 梁柱荣,毕卓能,靳虎,梅凤娇,&徐雪青.(2015).Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究.新能源进展(4),245-250.
MLA 梁柱荣,et al."Al2O3修饰层对抑制CdSe量子点敏化太阳电池界面电子复合的研究".新能源进展 .4(2015):245-250.
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