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| 磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究 | |
| Alternative Title | Thermoelectric Property of Si1-xGex/B Multilayer Thin Film Prepared by Magnetron Sputtering |
杜鑫1,2; 苗蕾1,3 ; 刘呈燕1,3; 王潇漾1,3
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| 2016 | |
| Source Publication | 新能源进展
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| Issue | 5Pages:345-350 |
| Cooperation Status | 国内 |
| Abstract | Unique structure （SiGe/B） based multilayer film prepared by magnetron sputtering was designed with purposes of improving electrical conductivity and Seebeck coefficient, and reducing thermal conductivity. The multilayer film contains 5 periods and each of |
| Subtype | 期刊 |
| Other Abstract | 本文通过磁控溅射法制备了一种独特的Si Ge/B五层结构薄膜材料,每层结构包含60 nm的Si60Ge40层和0.55 nm的B层。实验考察了薄膜材料的热电性能,结果表明：B掺杂的溅射时间最佳为30 s;当退火温度为650℃时,薄膜的致密性最好,且在此温度下具有较高的Seebeck系数,最大值为6.75×10^-4 V/K,电阻率最小值为1.6×10^-5Ω·m,其功率因子最大值为0.026 W/（m·K^2）。 |
| Keyword | 热电材料 硅锗薄膜 纳米结构 热电性能 |
| Language | 中文 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金项目（51572049,51562005）;广东省科技计划项目（2013B050800006）;中国科学院BIC对外合作项目（182344KYSB20130006） |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/16076 |
| Collection | 中国科学院广州能源研究所 |
| Affiliation | 1.中国科学院广州能源研究所,中国科学院可再生能源重点实验室,广州 510640 2.中国科学院大学,北京100049 3.桂林电子科技大学,广西桂林541004 |
| First Author Affilication | GuangZhou Institute of Energy Conversion,Chinese Academy of Sciences |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杜鑫,苗蕾,刘呈燕,等. 磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究[J]. 新能源进展,2016(5):345-350. |
| APA | 杜鑫,苗蕾,刘呈燕,&王潇漾.(2016).磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究.新能源进展(5),345-350. |
| MLA | 杜鑫,et al."磁控溅射法制备Si1-xGex/B多层薄膜及其热电性能研究".新能源进展 .5(2016):345-350. |
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| 磁控溅射法制备Si1-xGex-B多层薄（900KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | View Download | |
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