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RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究
艾斌; 沈辉; 班群; 王晓晶; 梁宗存; 廖显伯
2002-10-23
会议(录)名称中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议论文集 ; 中国第七届光伏会议 ; 中国第七届光伏会议
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会议日期2002-10-23
会议地点杭州
出版地杭州
会议主办者中国太阳能学会
其他摘要使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测量了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的掺优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大提高.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率既而具有更好的电学性能.由光电导谱测得的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV左右.
关键词化学气相沉积 多晶硅薄膜 电学性能 薄膜太阳能电池 薄膜结构
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7942
专题中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
艾斌,沈辉,班群,等. RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究[C]. 杭州,2002.
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