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颗粒硅带为衬底的开口隔离层上多晶硅薄膜电池制备
梁宗存; 沈辉
2004-08-02
Source Publication第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集 ; 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议论文集 ; 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 ; 第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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Conference Date2004-08-02
Conference Place大连
Publication Place大连
Funding Organization中国电子学会
Other Abstract在SSP硅带衬底上制备开口SiO<,2>隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜电池.研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;电池的光特性参数V<,oc>、I<,sc>、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83﹪.指出了改进的工艺措施.
Keyword多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 隔离层
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7916
Collection中国科学院广州能源研究所
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GB/T 7714
梁宗存,沈辉. 颗粒硅带为衬底的开口隔离层上多晶硅薄膜电池制备[C]. 大连,2004.
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