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靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响
王贺权; 沈辉; 巴德纯; 汪保卫; 闻立时
2004-11-15
Source Publication第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
Source Publication第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
Conference Date2004-11-15
Conference Place深圳
Publication Place深圳
Funding Organization中国太阳能学会
Other Abstract本文应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2 薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30 分钟的条件下,通过控制靶基距改变TiO2 薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k 影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD 和SEM 表征发现,随着靶基距的增加TiO2 的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜的表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
Keyword二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率
Language中文
Document Type会议论文
Identifierhttp://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7906
Collection中国科学院广州能源研究所
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GB/T 7714
王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜的光学性质的影响[C]. 深圳,2004.
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