GIEC OpenIR  > 中国科学院广州能源研究所
RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究
王磊; 沈辉; 胡芸菲; 班群
2004-11-15
会议(录)名称第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
会议(录)名称第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛
会议日期2004-11-15
会议地点深圳
出版地深圳
会议主办者中国太阳能学会
其他摘要研究了RTCVD 设备参数如:温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X 射线(XRD)、霍尔测试及电池模拟软件PC1D 描述了薄膜性质随各参数的变化规律性,提出改进薄膜性能的思路。
关键词多晶硅薄膜 太阳电池 薄膜性能
语种中文
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7904
专题中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王磊,沈辉,胡芸菲,等. RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究[C]. 深圳,2004.
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