Knowledge Management System Of Guangzhou Institute of Energy Conversion, CAS
| 开口隔离层上多晶硅薄膜制备 | |
| 梁宗存; 柳锡运; 沈辉 | |
| 2004-11-15 | |
| 会议(录)名称 | 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 |
| 会议(录)名称 | 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 ; 第八届全国光伏会议暨中日光伏论坛 |
| 会议日期 | 2004-11-15 |
| 会议地点 | 深圳 |
| 出版地 | 深圳 |
| 会议主办者 | 中国太阳能学会 |
| 其他摘要 | 在SSP 硅带衬底上制备开口SiO2 隔离层，在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层；然后以ZMR 将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶，制备了SSP 隔离层上多晶硅薄膜，并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明：ZMR 对籽晶层的区融、结晶效果比较理想，晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽；经过晶硅薄膜沉积后，开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住；制备的电池的光特性参数Voc、Isc 、FF 都比较低，电池的最高转换效率为3.83﹪；指出了改进的工艺措施。 |
| 关键词 | 多晶硅薄膜电池 颗粒硅带 薄膜沉积 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/7900 |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁宗存,柳锡运,沈辉. 开口隔离层上多晶硅薄膜制备[C]. 深圳,2004. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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