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真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法; 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法 | |
真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法; 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法 | |
沈辉; 卢志坚; 徐雪青 | |
2004-03-17 | |
公开日期 | 2001-10-10 ; 2011-07-13 |
授权国家 | 中国 |
专利权人 | 中国科学院广州能源研究所 |
专利类型 | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
专利类型 | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
其他摘要 | 本发明涉及薄膜制备方法,特别是一种真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法。其特征在于包括以下步骤:清洗基片;将三氧化钨粉末或粉末压片放入电子束蒸发器真空室的坩埚中,将铂丝放在电阻式加热源上,并将清洁的基片固定在样品架上;用电子束加热使三氧化钨升华并沉积在基片上。真空镀膜机真空室压力为10-2-10-3Pa,真空室温度约200-300℃,电子束流0.1-0.2mA;通过电阻加热蒸镀一层铂催化层。真空室压力5-6.5×10-3Pa,真空室温度为 |
专利类型 | 发明 ; 发明 ; 公开 ; 公开 ; 发明 ; 公开 |
申请日期 | 2001-01-19 |
语种 | 中文 |
申请号 | 01107472.8 |
专利代理人 | 刘媖:广东专利事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/5042 |
专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈辉,卢志坚,徐雪青. 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法, 真空蒸发制备三氧化钨气致变色薄膜的方法[P]. 2004-03-17. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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