靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响

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	靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响
	王贺权 1; 沈辉 2; 巴德纯 1; 汪保卫 3; 闻立时 4
	2005
发表期刊	真空
ISSN	1002-0322
卷号	042 期号:001 页码:11
摘要	应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜，在固定的电源功率下，氩气流量为42．6 sccm，氧流量为15 sccm，溅射时间为30min的条件下，通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质。应用n&k Analyzer 1200测量，当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低，同时反射低谷先短波后长波之后再短波；靶基距对消光系数五影响较大；随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势，但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定。通过XRD和SEM表征发现，随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变，薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密。
语种	英语
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/19285
专题	中国科学院广州能源研究所
作者单位	1.东北大学 2.中山大学 3.中国科学院广州能源研究所 4.中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王贺权,沈辉,巴德纯,等. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响[J]. 真空,2005,042(001):11.
APA	王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,&闻立时.(2005).靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响.真空,042(001),11.
MLA	王贺权,et al."靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO_2薄膜光学性质的影响".真空 042.001(2005):11.