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外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究
艾斌1; 沈辉1; 班群1; 梁宗存1; 陈如龙2; 施正荣2; 廖显伯3
2004
发表期刊中国科学e辑技术科学
ISSN1006-9275
卷号34期号:0页码:11
摘要为了澄清限制所制备的颗粒硅带上的晶体硅薄膜太阳电池效率的主要因素, 对制备在颗粒硅带、经区熔(ZMR)后的颗粒硅带和单晶硅衬底上的外延晶体硅薄膜太阳电池进行了QE和Suns-Voc研究. 结果表明, 颗粒硅带上沉积的外延层的表面有一定的粗糙度, 它不但增加了电池表面的漫反射, 也使氮化硅减反射膜的结构变得疏松, 最终影响了减反射膜的陷光效果; 沉积在颗粒硅带上的硅活性层的晶体质量也较差, 较重的晶界复合限制了少子扩散长度, 使得制备在颗粒硅带上的硅薄膜太阳电池在长波方向上的光谱响应明显变坏. 所制备的晶体硅薄膜太阳电池的暗特性参数值均不理想, 电池性能尤其受到过高的暗饱和电流I02值和过低的并联电阻Rsh值的严重影响. 高的I02值是由于结区硅活性层较差的晶体质量所导致的严重的晶界复合造成的, 低的Rsh值被归结为电池经激光切割后未经钝化的裸露的PN结及电池边缘的漏电造成的.
语种英语
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/19094
专题中国科学院广州能源研究所
作者单位1.中国科学院广州能源研究所
2.无锡尚德太阳能电力有限公司
3.中国科学院半导体研究所
第一作者单位中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
艾斌,沈辉,班群,等. 外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究[J]. 中国科学e辑技术科学,2004,34(0):11.
APA 艾斌.,沈辉.,班群.,梁宗存.,陈如龙.,...&廖显伯.(2004).外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究.中国科学e辑技术科学,34(0),11.
MLA 艾斌,et al."外延晶体硅薄膜太阳电池的量子效率和特性研究".中国科学e辑技术科学 34.0(2004):11.
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